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Datasheet 搜索 > 接口芯片 > Vishay Siliconix > DG611AEY-T1-E3 Datasheet 文档
DG611AEY-T1-E3
器件3D模型
0.607
DG611AEY-T1-E3 数据手册 (17 页)
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DG611AEY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOIC-16
电路数
4 Circuit
3dB带宽
720 MHz

DG611AEY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)

DG611AEY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix
17 页 / 0.3 MByte

DG611AEYT1 数据手册

VISHAY(威世)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏,四通道SPST开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches
Vishay Semiconductor(威世)
DG611A 系列 单刀单掷 12 V 115 Ohm 表面贴装 1 pC 电荷注入 模拟开关 SOIC-16N
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