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DS25BR100TSD/NOPB
3.639
DS25BR100TSD/NOPB 数据手册 (18 页)
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DS25BR100TSD/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
LLP EP
功耗
2080 W
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
3 V

DS25BR100TSD/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
3 mm

DS25BR100TSD/NOPB 数据手册

National Semiconductor(美国国家半导体)
18 页 / 0.44 MByte

DS25BR100 数据手册

TI(德州仪器)
具有发送预强调和接收均衡功能的 3.125 Gbps LVDS 缓冲器
TI(德州仪器)
逻辑芯片, LVDS缓冲器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  DS25BR100EVK/NOPB  评估套件, DS25BR100 LVDS缓冲器
TI(德州仪器)
LVDS 接口集成电路 3.125 Gbps LVDS Buffer with Transmit Pre-Emphasis and Receive Equalization 8-WSON -40 to 85
National Semiconductor(美国国家半导体)
TI(德州仪器)
TI(德州仪器)
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