器件3D模型

￥ 0.034

ESD7571N2T5G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

DFN-2

描述:

ESD 抑制器/TVS 二极管 BI-DIRECTIONAL 7V ESD PR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

ESD7571N2T5G 数据手册

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ESD7571N2T5G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

2 Pin

工作电压

5.3 V

封装

DFN-2

击穿电压

7 V

功耗

0.3 W

钳位电压

15 V

测试电流

1 mA

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温

-55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max)

300 mW

ESD7571N2T5G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

0.34 mm

ESD7571N2T5G 符合标准

ESD7571N2T5G 海关信息

ESD7571N2T5G 概述

ESD7571N2T5G 数据手册

ESD7571N2T5G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.77 MByte

ESD7571N2T5G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.02 MByte

ESD7571N2T5G 产品封装文件

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.33 MByte

ESD7571N2T5 数据手册

ESD7571N2T5G 数据手册

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ESD 抑制器/TVS 二极管 BI-DIRECTIONAL 7V ESD PR

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