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IRF300P226
5.99

IRF300P226 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-247
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.016 Ω
功耗
556 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
300 V
上升时间
44 ns
输入电容值(Ciss)
10030pF @50V(Vds)
下降时间
32 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
556000 mW

IRF300P226 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF300P226 数据手册

Infineon(英飞凌)
17 页 / 1.01 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.23 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte

IRF300 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF3007SPBF D2PAK
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 300 V, 0.016 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF300P227 TO-247AC-3
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 75V 62A
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