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FCA35N60
5.323
FCA35N60 数据手册 (8 页)
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FCA35N60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.079 Ω
极性
N-Channel
功耗
312.5 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
650 V
连续漏极电流(Ids)
35A
上升时间
120 ns
输入电容值(Ciss)
6640pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
312.5 W
下降时间
73 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
312.5W (Tc)

FCA35N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
高度
20.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FCA35N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.43 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.74 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.62 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.55 MByte

FCA35 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。
ON Semiconductor(安森美)
FCA35N60 编带
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