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FQPF27N25
1.208
FQPF27N25 数据手册 (8 页)
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FQPF27N25 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
250 V
额定电流
14.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
110 mΩ
极性
N-Channel
功耗
55 W
漏源极电压(Vds)
250 V
漏源击穿电压
250 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
14.0 A
上升时间
270 ns
输入电容值(Ciss)
2450pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
55 W
下降时间
120 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
55W (Tc)

FQPF27N25 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQPF27N25 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.43 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.74 MByte

FQPF27 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF27P06  晶体管, MOSFET, P沟道, -17 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF27P06, 19 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
ON Semiconductor(安森美)
FQPF27N25: 功率 MOSFET,N 沟道,QFET,250 V,14 A,110 mΩ,TO-220F
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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