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FCH35N60
3.66
FCH35N60 数据手册 (2 页)
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FCH35N60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.079 Ω
极性
N-Channel
功耗
312.5 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
35A
上升时间
120 ns
输入电容值(Ciss)
6640pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
312.5 W
下降时间
73 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
312.5W (Tc)

FCH35N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
高度
20.82 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FCH35N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.07 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.39 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.15 MByte

FCH35 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.079 ohm, 10 V, 3 V
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