￥ 14.346

HUF75652G3 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75652G3.. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75A, TO-247

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HUF75652G3 数据手册 (10 页)

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HUF75652G3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

75.0 A

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0067 Ω

极性

N-Channel

功耗

515 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

75.0 A

输入电容值(Ciss)

7585pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

515 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

515W (Tc)

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HUF75652G3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.87 mm

宽度

4.82 mm

高度

20.82 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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HUF75652G3 符合标准

HUF75652G3 海关信息

HUF75652G3 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.65 MByte

HUF75652G3 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

13 页 / 0.57 MByte

HUF75652G3 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.03 MByte

HUF75652G3 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.51 MByte

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