FCP16N60 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP16N60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 170 mohm, 10 V, 2 V

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

ON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCP16N60N, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP16N60, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装

晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 V

晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 650 V, 0.14 ohm, 10 V, 4.5 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP165N60E  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 V 新