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NTHS2101PT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SMD-8

描述:

-8.0 V， -7.5 P沟道ChipFET −8.0 V, −7.5 A P−Channel ChipFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NTHS2101PT1 数据手册 (6 页)

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NTHS2101PT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-8.00 V

额定电流

-5.40 A

封装

SMD-8

漏源极电阻

34.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1.3W (Ta)

漏源极电压(Vds)

8 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

5.40 A

输入电容值(Ciss)

2400pF @6.4V(Vds)

额定功率(Max)

1.3 W

耗散功率(Max)

1.3W (Ta)

NTHS2101PT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

NTHS2101PT1 符合标准

NTHS2101PT1 海关信息

NTHS2101PT1 概述

NTHS2101PT1 数据手册

NTHS2101PT1 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.05 MByte

NTHS2101 数据手册

NTHS2101PT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

-8 V,-7.5A功率MOSFET

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-8.0 V， -7.5 P沟道ChipFET −8.0 V, −7.5 A P−Channel ChipFET

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