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FDD3510H 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-252-5

描述:

FDD3510H 系列 80 V 80 mOhm 双 N/P 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDD3510H 数据手册

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FDD3510H 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

TO-252-5

针脚数

5 Position

漏源极电阻

0.08 Ω

功耗

3.1 W

阈值电压

2.6 V

漏源极电压(Vds)

80 V

输入电容值(Ciss)

800pF @40V(Vds)

额定功率(Max)

1.3 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3100 mW

FDD3510H 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

FDD3510H 符合标准

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FDD3510H 其他数据使用手册

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