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FZ900R12KE4HOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

62MM-2

描述:

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.75 V, 4.3 kW, 1.2 kV, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FZ900R12KE4HOSA1 数据手册 (3 页)

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FZ900R12KE4HOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

62MM-2

功耗

4.3 kW

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

56nF @25V

额定功率(Max)

4300 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

4300000 mW

FZ900R12KE4HOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

FZ900R12KE4HOSA1 符合标准

FZ900R12KE4HOSA1 概述

FZ900R12KE4HOSA1 数据手册

FZ900R12KE4HOSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

FZ900R12KE4HOSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

4 页 / 0.23 MByte

FZ900R12KE4HOSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.25 MByte

FZ900R12KE4 数据手册

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FZ900R12KE4HOSA1 数据手册

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