￥ 1.417

FDD3670 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDD3670 数据手册 (5 页)

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FDD3670 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.022 Ω

功耗

3.8 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

2490pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1.6 W

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3800 mW

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FDD3670 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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FDD3670 符合标准

FDD3670 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.15 MByte

FDD3670 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.35 MByte

FDD3670 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.87 MByte

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