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FGY75T120SQDN 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-247-3

描述:

单晶体管, IGBT, 150 A, 1.7 V, 790 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FGY75T120SQDN 数据手册

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FGY75T120SQDN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

功耗

790 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

反向恢复时间

99 ns

额定功率(Max)

790 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

790000 mW

FGY75T120SQDN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FGY75T120SQDN 符合标准

FGY75T120SQDN 概述

FGY75T120SQDN 数据手册

FGY75T120SQDN 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

17 页 / 2 MByte

FGY75T120SQDN 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

18 页 / 3.05 MByte

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FGY75T120SQDN 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

单晶体管, IGBT, 150 A, 1.7 V, 790 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

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