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FDMA507PZ 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

QFN-6

描述:

场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 0.019Ω, -7.8A, MICROFET-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDMA507PZ 数据手册 (7 页)

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FDMA507PZ 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

6 Pin

封装

QFN-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.019 Ω

功耗

2.4 W

阈值电压

500 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

1515pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

900 mW

下降时间

96 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2400 mW

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FDMA507PZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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FDMA507PZ 符合标准

FDMA507PZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.29 MByte

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