器件3D模型

￥ 78.44

VQ1006P 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

晶体管

封装:

DIP-14

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VQ1006P 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

VQ1006P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

14 Pin

封装

DIP-14

漏源极电阻

4.00 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.00 W

漏源极电压(Vds)

90 V

漏源击穿电压

90.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

400 mA

输入电容值(Ciss)

60pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

查看数据手册 >

VQ1006P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

VQ1006P 符合标准

VQ1006P 概述

VQ1006P 数据手册

Vishay Siliconix

5 页 / 0.05 MByte

VQ1006P 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

4 页 / 0.09 MByte

VQ1006 数据手册

VQ1006P 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

N沟道80-和90 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs

VQ1006P 数据手册

Vishay Siliconix

VQ1006P 数据手册

VISHAY（威世）

N沟道80-和90 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs

Vishay Siliconix

Vishay Siliconix

VISHAY（威世）

Vishay Semiconductor（威世）

VQ1006P-E3 数据手册

VISHAY（威世）

VQ1006P-2 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号