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FDME410NZT
0.327

FDME410NZT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
PowerUFDFN-6
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.019 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.1 W
阈值电压
700 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
7A
上升时间
3.4 ns
输入电容值(Ciss)
1025pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW
下降时间
3.2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.1W (Ta)

FDME410NZT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.6 mm
宽度
1.6 mm
高度
0.55 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDME410NZT 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.29 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.33 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
14 页 / 0.18 MByte

FDME410 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDME410NZT  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 700 mV
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 700 mV
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