￥ 2.967

FQA8N100C 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA8N100C, 8 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-3PN封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQA8N100C 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FQA8N100C 数据手册 (8 页)

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FQA8N100C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.2 Ω

功耗

225 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

1000 V

上升时间

95 ns

输入电容值(Ciss)

2475pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

225 W

下降时间

80 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

225000 mW

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FQA8N100C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

15.8 mm

宽度

5 mm

高度

18.9 mm

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FQA8N100C 符合标准

FQA8N100C 概述

FQA8N100C 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 1.47 MByte

FQA8N100C 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 1.63 MByte

FQA8N100C 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

18 页 / 3.05 MByte

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