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FDMS3606AS 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

Power-56-8

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS3606AS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDMS3606AS 数据手册 (16 页)

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FDMS3606AS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

Power-56-8

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0058 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2.2 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

13A/27A

输入电容值(Ciss)

1695pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.2 W

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FDMS3606AS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

6 mm

高度

1.05 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDMS3606AS 符合标准

FDMS3606AS 概述

FDMS3606AS 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

16 页 / 0.55 MByte

FDMS3606AS 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

16 页 / 0.55 MByte

FDMS3606AS 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.17 MByte

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS3606AS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V

FDMS3606AS 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V

FDMS3606S 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDMS3606S: 不对称双 N 沟道，PowerTrench 功率级 MOSFET，30V

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