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HUFA76413DK8T
器件3D模型
1
HUFA76413DK8T 数据手册 (11 页)
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HUFA76413DK8T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
4.80 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
56.0 mΩ
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.10 A
上升时间
19 ns
输入电容值(Ciss)
620pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
27 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

HUFA76413DK8T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

HUFA76413DK8T 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
46 页 / 1.95 MByte

HUFA76413DK8 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平UltraFET功率MOSFET的60V , 4.8A , 56mз N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 4.8A, 56mз
Fairchild(飞兆/仙童)
N-沟道 60 V 4.8 A 49 mΩ 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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