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FDMS86103L
0.548
FDMS86103L 数据手册 (7 页)
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FDMS86103L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
Power 56
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0064 Ω
功耗
2.5 W
阈值电压
1.9 V
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
7.2 ns
输入电容值(Ciss)
2790pF @50V(Vds)
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
104 W

FDMS86103L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
5 mm
宽度
6.15 mm
高度
1.05 mm

FDMS86103L 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.24 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.4 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.17 MByte

FDMS86103 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86103L  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 100 V, 0.0064 ohm, 10 V, 1.9 V
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