IPB033N10N5LF

￥ 4.76

IPB033N10N5LF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道 100V 120A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB033N10N5LF 数据手册 (11 页)

IPB033N10N5LF 数据手册 (11 页)

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IPB033N10N5LF 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

功耗

179 W

上升时间

32 ns

输入电容值(Ciss)

350pF @50V(Vds)

下降时间

48 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

179000 mW

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IPB033N10N5LF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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IPB033N10N5LF 符合标准

IPB033N10N5LF 数据手册

IPB033N10N5LF 数据手册

Infineon（英飞凌）

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IPB033N10N5 数据手册

IPB033N10N5LF 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 100V 120A

IPB033N10N5LFATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0027 ohm, 10 V, 3.3 V

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