Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FDMS86300DC Datasheet 文档
FDMS86300DC
1.385
FDMS86300DC 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FDMS86300DC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
DualCool-56-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0026 Ω
极性
N-Channel
功耗
125 W
阈值电压
3.3 V
漏源极电压(Vds)
80 V
连续漏极电流(Ids)
24A
输入电容值(Ciss)
7005pF @40V(Vds)
额定功率(Max)
3.2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.2W (Ta), 125W (Tc)

FDMS86300DC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.1 mm
宽度
5.85 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMS86300DC 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.28 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.31 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.47 MByte

FDMS86300 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86300, 122 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86300DC, 76 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86300DC  晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 80 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3.3 V
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z