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FDP75N08
0.356
FDP75N08 数据手册 (8 页)
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FDP75N08 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
11 mΩ
极性
N-Channel
功耗
131 W
漏源极电压(Vds)
75 V
漏源击穿电压
75 V
连续漏极电流(Ids)
75.0 A
上升时间
68 ns
输入电容值(Ciss)
4468pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
137 W
下降时间
93 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
131W (Tc)

FDP75N08 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDP75N08 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.07 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 1.24 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

FDP75 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP75N08A  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 75 V, 11 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP75N08A, 75 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
75V N沟道MOSFET 75V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
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