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SI2306BDS-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-236

描述:

VISHAY SI2306BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2306BDS-T1-E3 数据手册 (5 页)

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SI2306BDS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-236

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.038 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.25 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

3.16 A

上升时间

12 ns

热阻

100℃/W (RθJA)

输入电容值(Ciss)

305pF @15V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.75 W

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SI2306BDS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI2306BDS-T1-E3 符合标准

SI2306BDS-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

5 页 / 0.1 MByte

SI2306BDS-T1-E3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.2 MByte

SI2306BDS-T1-E3 产品修订记录

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