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FDP7N60NZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP7N60NZ 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDP7N60NZ 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

FDP7N60NZ 数据手册 (10 页)

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FDP7N60NZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.05 Ω

极性

N-Channel

功耗

147 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

6.5A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

730pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

147 W

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

147W (Tc)

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FDP7N60NZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDP7N60NZ 符合标准

FDP7N60NZ 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.27 MByte

FDP7N60NZ 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.34 MByte

FDP7N60NZ 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

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FDP7N60 数据手册

FDP7N60NZ 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP7N60NZ 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 3 V

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ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP7N60NZ, 6.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

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