器件3D模型

￥ 0.604

FDS86267P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

SOIC

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -150 V, 0.191 ohm, -10 V, -3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDS86267P 数据手册 (6 页)

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FDS86267P 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.191 Ω

功耗

2.5 W

上升时间

2.5 ns

输入电容值(Ciss)

806pF @75V(Vds)

下降时间

5.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

FDS86267P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FDS86267P 符合标准

FDS86267P 数据手册

FDS86267P 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.34 MByte

FDS86267 数据手册

FDS86267P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -150 V, 0.191 ohm, -10 V, -3 V

FDS86267P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

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