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Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > HGTG20N60B3 Datasheet 文档
HGTG20N60B3
10.677
HGTG20N60B3 数据手册 (7 页)
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HGTG20N60B3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
功耗
165 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
额定功率(Max)
165 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
165000 mW

HGTG20N60B3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

HGTG20N60B3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 2.32 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 3.05 MByte

HGTG20N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG20N60A4  单晶体管, IGBT, 通用, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG20N60A4D  单晶体管, IGBT, 通用, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG20N60B3D  单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
HGTG20N60B3系列 600 V 40 A 法兰安装 UFS N沟道 IGBT-TO-247
Fairchild(飞兆/仙童)
45A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG20N60B3..  单晶体管, IGBT, 40 A, 2 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Intersil(英特矽尔)
45A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
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