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FF200R17KE3
103.578
FF200R17KE3 数据手册 (8 页)
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FF200R17KE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Screw
引脚数
7 Pin
封装
62MM-1
击穿电压(集电极-发射极)
1700 V
输入电容值(Cies)
18nF @25V
额定功率(Max)
1250 W
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
40 ℃

FF200R17KE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
高度
30.9 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

FF200R17KE3 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 5.44 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.29 MByte

FF200R17 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  FF200R17KE4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 1.7 kV, Module
Infineon(英飞凌)
IGBT模块
Infineon(英飞凌)
INFINEON  FF200R17KE4HOSA1  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 1.7 kV, Module
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 310 A, 2 V, 1.25 kW, 1.7 kV, Module
Infineon(英飞凌)
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