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FF200R17KE3HOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

62MM-1

描述:

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 310 A, 2 V, 1.25 kW, 1.7 kV, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FF200R17KE3HOSA1 数据手册 (1 页)

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FF200R17KE3HOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

7 Pin

封装

62MM-1

功耗

1.25 kW

击穿电压(集电极-发射极)

1700 V

输入电容值(Cies)

18nF @25V

额定功率(Max)

1250 W

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

1250000 mW

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FF200R17KE3HOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TJ)

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FF200R17KE3HOSA1 符合标准

FF200R17KE3HOSA1 海关信息

FF200R17KE3HOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.06 MByte

FF200R17KE3HOSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

FF200R17KE3HOSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.12 MByte

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