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FP15R12KE3GBOSA1
73.66
FP15R12KE3GBOSA1 数据手册 (1 页)
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FP15R12KE3GBOSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
24 Pin
封装
ECONO2-5
功耗
105 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
1.1nF @25V
额定功率(Max)
105 W
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
100000 mW

FP15R12KE3GBOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 125℃

FP15R12KE3GBOSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.03 MByte
Infineon(英飞凌)
21 页 / 1.08 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 2.24 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

FP15R12KE3 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 27A
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.7 V, 105 W, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
IGBT管/模块 FP15R12KE3G -
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