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器件3D模型
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TS861IDT 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
比较器
封装:
SO-8
描述:
TS86 系列 1 元件 轨对轨 微功耗 BiCMOS 比较器 - SOIC-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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封装尺寸
在
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TS861IDT 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
SO-8
输出电流
5.00 mA
供电电流
14.0 mA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
共模抑制比
70 dB
静态电流
6.00 µA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压(Max)
10 V
电源电压(Min)
2.7 V
查看数据手册 >
TS861IDT 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃
查看数据手册 >
TS861IDT 符合标准
TS861IDT 海关信息
TS861IDT 概述
●
比较器 通用 推挽式 8-SO
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ID
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轨至轨微功耗BICMOS比较仪 RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS
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