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FQP2N60C_Q
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FQP2N60C_Q 数据手册
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FQP2N60C_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
54 W
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
2A
上升时间
25 ns
下降时间
28 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

FQP2N60C_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm

FQP2N60C_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 1.44 MByte

FQP2N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP2N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.35 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP2N60C, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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