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FQP44N08
0.21

FQP44N08 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
44.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
34.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
127 W
漏源极电压(Vds)
80 V
漏源击穿电压
80.0 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
44.0 A
上升时间
170 ns
输入电容值(Ciss)
1430pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
127 W
下降时间
75 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
127W (Tc)

FQP44N08 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQP44N08 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.66 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.65 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

FQP44 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP44N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 43.5 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP44N10, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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