HN4C51J 数据手册 - Toshiba（东芝）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 120V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 0.1A 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHZ 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 200~700 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3V 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.3W 描述与应用 Description & Applications | 特点•东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程）•高电压：VCEO=120V•高HFE：HFE=200〜700•优异的线性度：（IC=0.1毫安）/ HFE（IC=2毫安）=0.95（典型值）•低噪音：NF=1分贝（典型值）•音频通用放大器应用 技术文档PDF下载 | 在线阅读