TPCP8701 数据手册 - Toshiba（东芝）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 3A 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 200~1000 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.54W Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type .

●Portable Equipment Applications

●Switching Applications

●Inverter Lighting Applications

●Small footprint due to small and thin package

●High DC current gain : hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A)

● Low collector-emitter saturation : VCE (sat) = 0.14 V (max)

● High-speed switching : tf = 120 ns (typ.) 描述与应用 | 东芝晶体管NPN硅外延型。

●便携式设备的应用

●开关应用

●逆变器照明应用

●由于占地面积小，小而薄的包装

●高直流电流增益：HFE=400~1000（IC=0.3 A）

●低集电极 - 发射极饱和：VCE（sat）= 0.14 V（最大值）

●高速开关：TF =120 ns（典型值）