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HUFA75307T3ST
0.344
HUFA75307T3ST 数据手册 (9 页)
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HUFA75307T3ST 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
漏源极电压(Vds)
55 V
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.1 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.1 W

HUFA75307T3ST 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.8 mm

HUFA75307T3ST 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.28 MByte

HUFA75307T3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUFA75307T3ST, 2.6 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Intersil(英特矽尔)
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