￥ 2.746

IDH12G65C5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

二极管

封装:

TO-220-2

描述:

650V的SiC的thinQ ！一?? ¢ 5代二极管 650V SiC thinQ!â¢ Generation 5 diodes

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IDH12G65C5 数据手册 (11 页)

封装尺寸在9 页

IDH12G65C5 数据手册 (11 页)

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IDH12G65C5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

2 Pin

封装

TO-220-2

正向电压

1.7 V

正向电流

12000 mA

正向电流(Max)

12000 mA

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

104000 mW

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IDH12G65C5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IDH12G65C5 符合标准

IDH12G65C5 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 1.14 MByte

IDH12G65 数据手册

IDH12G65C5 数据手册

Infineon（英飞凌）

650V的SiC的thinQ ！一?? ¢ 5代二极管 650V SiC thinQ!â¢ Generation 5 diodes

IDH12G65C5XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V Series, 单, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220

IDH12G65C6XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 6G 650V Series, 单, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220

IDH12G65C5XKSA2 数据手册

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肖特基二极管与整流器 SIC DIODES

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