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Datasheet 搜索 > Infineon(英飞凌) > IDH12G65C5XKSA2 Datasheet 文档
IDH12G65C5XKSA2
2.801

IDH12G65C5XKSA2 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
2 Pin
封装
TO-220-2
功耗
104 W
正向电流(Max)
12 A
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
104000 mW

IDH12G65C5XKSA2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IDH12G65C5XKSA2 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 1.14 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte

IDH12G65C5 数据手册

Infineon(英飞凌)
650V的SiC的thinQ !一?? ¢ 5代二极管 650V SiC thinQ!™ Generation 5 diodes
Infineon(英飞凌)
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V Series, 单, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220
Infineon(英飞凌)
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
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