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IPB017N10N5LF
2.546
IPB017N10N5LF 数据手册 (11 页)
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IPB017N10N5LF 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-263-7
功耗
313 W

IPB017N10N5LF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IPB017N10N5LF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 1.07 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPB017N10N5 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3.3 V
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