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IPB60R040C7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-263

描述:

场效应管(MOSFET) IPB60R040C7 TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB60R040C7 数据手册 (14 页)

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IPB60R040C7 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TO-263

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

4340pF @400V(Vds)

下降时间

3.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

227000 mW

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IPB60R040C7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPB60R040C7 符合标准

IPB60R040C7 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 1.18 MByte

IPB60R040C7 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB60R040C7 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

65 页 / 4.97 MByte

IPB60R040C7 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3.5 V

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场效应管(MOSFET) IPB60R040C7 TO-263-3

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