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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IPB60R060C7 Datasheet 文档
IPB60R060C7
3.459

IPB60R060C7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3

IPB60R060C7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPB60R060C7 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 1.36 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
65 页 / 4.97 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPB60R060 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPB60R060P7 TO-263-3
Infineon(英飞凌)
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