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IPP100N08S2-07
1.695
IPP100N08S2-07 数据手册 (8 页)
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IPP100N08S2-07 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
100A
上升时间
51 ns
输入电容值(Ciss)
4700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 W

IPP100N08S2-07 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IPP100N08S2-07 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte

IPP100N08 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N08N3GXKSA1, 70 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP100N08N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 80 V, 0.0084 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N08S207AKSA1, 100 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS ™ 3供电晶体管特点非常适合高频率切换和同步。 REC 。 OptiMOS?3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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