￥ 2.082

IPP65R190E6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-220-3

描述:

650V CoolMOSâ ?? ¢ E6功率晶体管 650V CoolMOSâ¢ E6 Power Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPP65R190E6 数据手册 (19 页)

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IPP65R190E6 数据手册 (19 页)

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IPP65R190E6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

170 mΩ

极性

N-CH

功耗

151 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

700 V

漏源击穿电压

650 V

连续漏极电流(Ids)

20.8A

上升时间

11 ns

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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IPP65R190E6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPP65R190E6 符合标准

IPP65R190E6 数据手册

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19 页 / 2.16 MByte

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