SI4435DY

器件3D模型

￥ 1

SI4435DY 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4435DY. 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4435DY 数据手册 (11 页)

封装尺寸在1 页

SI4435DY 数据手册 (11 页)

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SI4435DY 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-8.80 A

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.015 Ω

极性

P-Channel

功耗

2.5 W

输入电容

1.60 nF

栅电荷

17.0 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

-150 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

-8.80 A

上升时间

13.5 ns

输入电容值(Ciss)

1604pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

查看数据手册 >

SI4435DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.57 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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SI4435DY 符合标准

SI4435DY 海关信息

SI4435DY 数据手册

SI4435DY 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

11 页 / 0.15 MByte

SI4435DY 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

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