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IRF60DM206 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

Direct-FET

描述:

晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 130 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRF60DM206 数据手册 (28 页)

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IRF60DM206 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

10 Pin

封装

Direct-FET

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0022 Ω

极性

N-CH

功耗

96 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

130A

上升时间

32 ns

输入电容值(Ciss)

6530pF @25V(Vds)

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

96W (Tc)

IRF60DM206 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF60DM206 符合标准

IRF60DM206 数据手册

IRF60DM206 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 1.49 MByte

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