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RAQ045P01TCR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

P沟道 12V 4.5A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RAQ045P01TCR 数据手册 (15 页)

典型应用电路图在13 页

RAQ045P01TCR 数据手册 (15 页)

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RAQ045P01TCR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

通道数

1 Channel

漏源极电阻

100 mΩ

功耗

1.25 W

阈值电压

300 mV

漏源极电压(Vds)

12 V

漏源击穿电压

12 V

上升时间

60 ns

输入电容值(Ciss)

4200pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

600 mW

下降时间

150 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

600mW (Ta)

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RAQ045P01TCR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Discontinued at Digi-Key

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

3 mm

宽度

1.8 mm

高度

0.95 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RAQ045P01TCR 符合标准

RAQ045P01TCR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 1.74 MByte

RAQ045P01TCR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 1.82 MByte

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