￥ 2.015

IRF6643TR1PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

DirectFET-MZ

描述:

MOSFET，InfineonD 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列，可简化高效 D 级放大器设计。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF6643TR1PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF6643TR1PBF 数据手册 (9 页)

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IRF6643TR1PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

7 Pin

封装

DirectFET-MZ

额定功率

89 W

漏源极电阻

0.029 Ω

极性

N-CH

功耗

2.8 mW

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

150 V

连续漏极电流(Ids)

6.2A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

2340pF @25V(Vds)

下降时间

4.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2800 mW

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IRF6643TR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

5.45 mm

宽度

5.05 mm

高度

0.6 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF6643TR1PBF 符合标准

IRF6643TR1PBF 概述