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MGSF1N03L
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MGSF1N03L 数据手册 (4 页)
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MGSF1N03L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
145 mΩ
极性
N-CH
功耗
0.42 W
阈值电压
2.4 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
1.6A

MGSF1N03L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
最小包装数量
3000

MGSF1N03L 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.07 MByte

MGSF1N03 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N03LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的30 V , 2.1 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
ON Semiconductor(安森美)
2.1A,30V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的30 V , 2.1 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
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ON Semiconductor(安森美)
Motorola(摩托罗拉)
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