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IRF7503PBF
器件3D模型
0.318
IRF7503PBF 数据手册 (8 页)
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IRF7503PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
SOIC
漏源极电阻
135 mΩ
极性
Dual N-Channel
功耗
1.25 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
2.40 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃

IRF7503PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7503PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 1 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.98 MByte

IRF7503 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) = 0.135ohm ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7503TRPBF.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, MICRO8, 整卷
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7503PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.4 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
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